HEMICONDUCTOR
BETH YW LLED-ddargludydd?
Mae dyfais lled-ddargludyddion yn gydran electronig sy'n defnyddio dargludiad trydanol ond sydd â nodweddion sydd rhwng dargludydd, er enghraifft copr, ac ynysydd, fel gwydr.Mae'r dyfeisiau hyn yn defnyddio dargludiad trydanol yn y cyflwr solet yn hytrach nag yn y cyflwr nwyol neu allyriadau thermionig mewn gwactod, ac maent wedi disodli tiwbiau gwactod yn y rhan fwyaf o gymwysiadau modern.
Mae'r defnydd mwyaf cyffredin o lled-ddargludyddion mewn sglodion cylched integredig.Gallai ein dyfeisiau cyfrifiadurol modern, gan gynnwys ffonau symudol a thabledi, gynnwys biliynau o led-ddargludyddion bach wedi’u cysylltu ar sglodion sengl i gyd wedi’u rhyng-gysylltu ar wafferi lled-ddargludyddion sengl.
Gellir trin dargludedd lled-ddargludyddion mewn sawl ffordd, megis trwy gyflwyno maes trydan neu magnetig, trwy ei amlygu i olau neu wres, neu oherwydd dadffurfiad mecanyddol grid silicon monocrystalline doped.Er bod yr esboniad technegol yn eithaf manwl, trin lled-ddargludyddion yw'r hyn sydd wedi gwneud ein chwyldro digidol presennol yn bosibl.
SUT MAE Alwminiwm YN CAEL EI DDEFNYDDIO MEWN LLED-ddargludyddion?
Mae gan alwminiwm lawer o briodweddau sy'n ei gwneud yn ddewis sylfaenol i'w ddefnyddio mewn lled-ddargludyddion a microsglodion.Er enghraifft, mae gan alwminiwm adlyniad gwell i silicon deuocsid, un o brif gydrannau lled-ddargludyddion (dyma lle cafodd Silicon Valley ei enw).Mae ei briodweddau trydanol, sef bod ganddo wrthwynebiad trydanol isel ac sy'n creu cyswllt rhagorol â bondiau gwifren, yn fantais arall i alwminiwm.Hefyd yn bwysig yw ei bod hi'n hawdd strwythuro alwminiwm mewn prosesau ysgythriad sych, cam hanfodol wrth wneud lled-ddargludyddion.Er bod metelau eraill, fel copr ac arian, yn cynnig gwell ymwrthedd cyrydiad a chaledwch trydanol, maent hefyd yn llawer drutach nag alwminiwm.
Mae un o'r cymwysiadau mwyaf cyffredin ar gyfer alwminiwm wrth weithgynhyrchu lled-ddargludyddion yn y broses o chwistrellu technoleg.Mae haenau tenau o drwch nano o fetelau purdeb uchel a silicon mewn wafferi microbrosesydd yn cael ei gyflawni trwy broses o ddyddodiad anwedd corfforol a elwir yn sputtering.Mae deunydd yn cael ei daflu allan o darged a'i adneuo ar haen swbstrad o silicon mewn siambr wactod sydd wedi'i llenwi â nwy i helpu i hwyluso'r weithdrefn;nwy anadweithiol fel argon fel arfer.
Mae'r platiau cefnogi ar gyfer y targedau hyn wedi'u gwneud o alwminiwm gyda'r deunyddiau purdeb uchel ar gyfer dyddodiad, fel tantalwm, copr, titaniwm, twngsten neu alwminiwm pur 99.9999%, wedi'u bondio i'w hwyneb.Mae ysgythru ffotodrydanol neu gemegol o arwyneb dargludol y swbstrad yn creu'r patrymau cylchedwaith microsgopig a ddefnyddir yn swyddogaeth y lled-ddargludydd.
Yr aloi alwminiwm mwyaf cyffredin mewn prosesu lled-ddargludyddion yw 6061. Er mwyn sicrhau perfformiad gorau'r aloi, yn gyffredinol bydd haen amddiffynnol anodized yn cael ei gymhwyso i wyneb y metel, a fydd yn hybu'r ymwrthedd cyrydiad.
Oherwydd eu bod yn ddyfeisiau mor fanwl gywir, rhaid monitro cyrydiad a phroblemau eraill yn agos.Canfuwyd bod sawl ffactor yn cyfrannu at gyrydiad mewn dyfeisiau lled-ddargludyddion, er enghraifft eu pecynnu mewn plastig.