반도체 제조는 극도의 정밀성을 요구하며, CVD 반응기 및 에칭 장비와 같은 핵심 장비의 심장부인 챔버는 핵심적인 역할을 합니다. 이 가이드에서는 챔버 설계의 핵심 요소와 고순도 알루미늄 합금이 주요 산업 과제를 해결하는 방법을 살펴봅니다.

챔버 성능을 좌우하는 5가지 핵심 요소 (알루미늄의 뛰어난 성능)

1. 초고진공(UHV) 호환성 및 누출 방지

문제점: 미세한 누출로 인해 공정 무결성이 손상됩니다.

알루미늄의 장점:매끄러운 CNC 가공 본체알루미늄 빌렛에서 용접 부위를 제거합니다. 당사의 6061-T6 합금은 10⁻⁹ mbar·L/sec 미만의 헬륨 누출률을 달성합니다.

2. 열 관리: 극한 사이클링에서의 안정성

문제점: 열 변형으로 인해 입자 오염이 발생합니다.

해결책: 알루미늄의 뛰어난 열전도도(≈150 W/m·K)는 스테인리스 스틸보다 뛰어납니다. 당사의 맞춤 제작 알루미늄 플레이트는 냉각 채널을 통합하여 ±0.5°C 균일도를 제공합니다.

3. 가혹한 환경에서의 플라즈마 부식 저항성

데이터 포인트: 양극산화 처리된 알루미늄(두께 25μm 이상)은 처리되지 않은 표면에 비해 10배 더 긴 CF₄/O₂ 플라즈마 노출을 견딥니다.

4. 자기 투자율: RF/플라즈마 공정 무결성

왜 알루미늄인가요? 거의 0에 가까운 투자율은 에칭기/임플란터의 자기장 왜곡을 방지합니다.

5. 비용 대 성능 최적화

사례 연구: 가공된 스테인리스 교체알루미늄 챔버자재 비용을 40% 절감하고 가공 시간을 35% 단축합니다(2024년 산업 벤치마크 기준).

정밀 챔버를 위한 알루미늄 솔루션

챔버 본체 및 뚜껑

재질: 5083/6061 알루미늄 판(최대 두께 150mm)

공정: Ra ≤ 0.8μm 표면 마감을 갖춘 진공 호환 CNC 가공

주요 사양: AMS 2772 열처리, 100% 초음파 검사

가스 분배 구성 요소

제품: 내부 미세 구멍이 있는 정밀 알루미늄 튜브(OD 3mm-200mm)

기술: 심공 드릴링(L/D 비율 30:1), 전해연마

구조 지지대 및 패스너

재료: 7075-T651 알루미늄 막대(높은 강도 대 중량 비율)

규정 준수: 가스 방출 제어를 위한 SEMI F72 표준

반도체 챔버 프로젝트에 왜 우리와 협력해야 할까요?

1. 전용 클린룸 가공: 클래스 1000 시설은 미립자 오염을 방지합니다.

2. 재료 추적성: 밀 테스트 보고서모든 알루미늄 판/막대/튜브.

3. 플라즈마 최적화 마감: 내식성을 위한 독점적인 수동화.

4. 신속한 프로토타입 제작: 복잡한 챔버 형상의 경우 15일 리드타임.